(۱-۳۵)
: فاکتور کیفیت به تلفات تشعشعی که با ارتفاع زیرلایه رابطه معکوس دارد و برای زیرلایه­های نازک فاکتور غالب به شمار می­رود.

(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

. : فاکتور کیفیت به تلفات اهمیک که برای زیرلایه­های نازک با شکل مستطیلی یا دایروی با ارتفاع
۳۰
زیرلایه و رسانایی پچ و صفحه زمین یعنی رابطه مستقیم دارد.
: فاکتور کیفیت به تلفات دی الکتریک که برای زیرلایه­های نازک با تانژانات تلفات ماده زیرلایه رابطه معکوس دارد.
: فاکتور کیفیت به امواج سطحی است که برای زیر لایه های نازک قابل صرف نظر است.
(۱-۳۶) (۱-۳۷)
امپدانس ورودی آنتن Zin =
امپدانس مشخصه خط تغذیه = Z0
برای هر پارامترQ در سمت راست معادله (۱-۳۵) می توان رابطه زیر را تعریف کرد:
(۱-۳۸)
که در رابطه با لا،W انرژی ذخیره شده می باشد که در فرکانس رزونانس یکسان و مستقل از مکانیسم تلفات تشعشعی است لذا می­توان با ترکیب دو رابطه (۱-۳۵) و(۱-۳۸) رابطه زیر را بدست آورد:
(۱-۳۹)
می­توان بهره تشعشعی آنتن را که به عنوان نسبت توان تشعشع شده به توان ورودی است بر حسب فاکتور کیفیت نیز نوشت.
(۱-۴۰)
رابطه (۱-۳۴) نشان دهنده ارتباط معکوس بین دو پارامتر پهنای باند امپدانسی و ظریب کیفیت آنتن است.
۳۱
در نتیجه با داشتن ضریب کیفیت پایین، پهنای باند وسیعتری خواهیم داشت. با در نظر گرفتن رابطه (۱-۴۰) می­بینیم که برای داشتن پهنای باند فرکانسی بالا باید بازده یا راندمان کاری آنتن مقداری پایین باشد که این مقوله باعث تضعیف عملکرد بهینه آنتن خواهد شد. پس در حالت کلی می­توانیم بگوییم که با داشتن پهنای باند بالاتر راندمان آنتن پایین می ­آید و برای پوشش این نقیصه باید تطبیق امپدانسی بهتری (پارامترVSWR کمتری) را در کل باند فرکانسی بتوانیم بدست آوریم تا بیشینه مقدار توان منبع را آنتن بدست آورد که آن مستلزم طراحی پیچیده­تری می­باشد. تعدادی از محققین پهنای باند امپدانسی را بصورت پهنای باند VSWR برابر با ۲ تعریف کرده ­اند. باید تاکید کنیم که پهنای باند امپدانسی بدست آمده الزاما به معنای برقراری شرایط پهنای باند مشخصات دیگر آنتن نیست. مطالعات اخیر نشان می­دهد که پلاریزاسیون Cross یک عامل مهم در محدود کردن پهنای باند آنتن­های میکرواستریپ است. همچنین شکل۱-۲۳ نشان­دهنده اثر تغییر در ضخامت زیر لایه روی پهنای باند امپدانسی و کارایی برای دو مقدار ثابت­های دی الکتریک است. دقت شود که پهنای باند امپدانسی بصورت یکنوا با ضخامت افزایش می­یابد. همچنین یک کاهش در مقدار پهنای باند را افزایش می­دهد. و همچنین راندمان تشعشعی آنتن با کاهش ثبات دی الکتریک و کاهش ارتفاع، بیشتر می­ شود.
شکل۱-۲۳: اثر تغییر در ضخامت و ثابت دی الکتریک روی پهنای باند امپدانسی VSWR<2 و کارایی تشعشعی[۱].
۳۲
فصل دوم
معرفی آنتن­های اسلات میکرواستریپ و تک قطبی چاپی
۲-۱ آنتن اسلات[۲۹]
۲-۱-۱ معرفی آنتن اسلات
زمانی که اندازه، وزن، هزینه، عملکرد، راحتی نصب از قیود مساله اند، سعی بر این خواهد بود که از آنتن­های نسبتا کوچک استفاده شود. برای دستیابی به موارد فوق از آنتن­های میکرواستریپ استفاده می­ کنند. این آنتن­ها فشرده و قابل شکل­دهی برای سطوح صاف و غیر صاف بوده و همچنین دارای ساختاری ساده و ارزان برای تولید با بهره گرفتن از تکنولوزی مدار چاپی مدرن می­باشند. این آنتن­ها سازگار با طراحی­های MMICS[30] هستند و در میان آنتن­های میکرواستریپ، آنتن­های اسلات نسبت به آنتن­های پچ پهنای باند بیشتری دارند و اصولا با آنتن­های اسلات می­توان تا حد امکان آنتن را فشرده ساخت. جدول ۲-۱ مقایسه کیفی بین آنتنهای میکرواستریپ پچ و اسلات را نشان می­دهد.
جدول ۲-۱ مقایسه خواص تشعشعی اسلات و پچ[۱].

مشخصات
آنتن پچ
آنتن اسلات
خطا در ساخت
زیاد
کم
انعطاف پذیری در شکل
هرنوع شکل
محدود
پهنای باند
باریک
پهن
میدان­های تشعشعی
یک جهته
یک جهته و دو جهته

موضوعات: بدون موضوع  لینک ثابت


فرم در حال بارگذاری ...